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硼离子注入对硅基Si3N4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善
  • ISSN号：0255-8297
  • 期刊名称：《应用科学学报》
  • 分类：O484.2[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]同济大学波耳固体物理研究所, [2]中国科学院上海冶金研究所
  • 相关基金：国家自然科学基金!（59682003）;中科院离子束开放研究实验室课题资助项目!（硼离子注入对Si3N4薄膜驻极体性能的改善）
作者： 张晓青[1], 李宝清[2]
关键词： 氮化硅薄膜, 驻极体, 硼离子注入, 内应力
中文摘要：

利用硼离子Ｂ＾＋注入方法来改善Ｓｉ３Ｎ４薄膜的力学性质，并就Ｂ＾＋注入对Ｓｉ３Ｎ４薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究，实验结果表明，Ｂ＾＋注入能够有效地降低薄膜的内应力，而对薄膜的驻极体性质有不利的影响；用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。

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期刊信息
  • 《应用科学学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:上海市教育委员会
  • 主办单位:上海大学 中国科学院上海技术物理研究所
  • 主编：王延云
  • 地址：上海市上大路99号123信箱
  • 邮编：200444
  • 邮箱：yykxxb@departmenl.shu.edu.cn
  • 电话：021-66131736
  • 国际标准刊号：ISSN：0255-8297
  • 国内统一刊号：ISSN：31-1404/N
  • 邮发代号:4-821
  • 获奖情况:
  • 首届中国高校优秀科技期刊,第2届中国高校优秀科技期刊奖,全国高校优秀科技期刊,中国科技期刊方阵双效期刊,上海市优秀科技期刊,首届《CAJ-CD》执行优秀期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）
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