本文讨论了在不同充电参数条件下的恒恒流电晕充电的Si基SiO2薄膜驻极体的空间电荷储存稳定性,并和栅控恒压电晕充电的结果进行了比较。利用电容-电压(C-V)分析技术确定了空间电荷重心的漂移,并利用等温表面电位衰减测量,开路热刺激放电实验及C-V分析技术讨论了Si基SiO2薄膜驻极体的空间电荷储存和输动特性。