欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Effects of growth atmosphere and homo-buffer layer on properties of ZnO films prepared on Si(111) by
ISSN号:0042-207X
期刊名称:Vacuum
时间:0
页码:664-667
语言:英文
相关项目:影响GaAs微探尖阵列选择外延生长质量的关键技术研究
作者:
Zhao, Jie|Hu, Lizhong|Wang, Weiwei|Gong, Ailing|Liu, Weifeng|
同期刊论文项目
影响GaAs微探尖阵列选择外延生长质量的关键技术研究
期刊论文 8
获奖 2
同项目期刊论文
Synthesis and photoluminescence investigation of ZnO : P nanorods on an InP substrate by pulsed lase
Transferring of GaAs microtips using selective wet etching Al0.7Ga0.3As sacrificial layer
Observation of the morphological evolution of GaAs pyramidal microtips grown by selective liquid-pha
GaAs微尖阵列的制备与场发射性能
ZnO微米刺球的CVD法生长及其在压电应力传感器中的应用
液相外延生长GaAs微探尖刻蚀剥离技术研究
PLD工艺制备高质量ZnO/Si异质外延薄膜