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影响GaAs微探尖阵列选择外延生长质量的关键技术研究
  • 项目名称:影响GaAs微探尖阵列选择外延生长质量的关键技术研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:60777009
  • 申请代码:F050103
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2008-01-01-2010-12-31
  • 项目负责人:胡礼中
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:大连理工大学
  • 批准年度:2007
中文摘要:

本项目深入细致地研究了影响GaAs微探尖生长质量的关键问题,完成了项目预期目标并有所扩展。具体成果有1)提出一种新的生长液旋转倾倒脱片技术,解决了常规生长液水平滑离式脱片方法难以避免的微探尖表面生长液残留问题,大大改善了选择液相外延法生长的GaAs微探尖质量;2)发现了金字塔状微探尖的形态与生长窗口的形状和取向无关现象,提出了一种理论解释模型,并在实验上观察到了微探尖在不同窗口中生长演化的完整过程,证实了理论模型的正确性;在此基础上提出了圆形窗口方案生长微探尖,大大降低了对光刻工艺的要求;3)提出一种过冷度陪片自动调整技术,解决了液相外延生长中常见的由于配源物质称量不够精确或其装炉前的化学处理损耗量差异造成的不同炉次的过冷度难以一致而引起的外延片特征尺寸不同问题,提高了不同炉次生长的微探尖的尺寸一致性;4)开发出两种可剥离微探尖的生长、剥离与转移技术,为进一步实现微探尖与VCSEL集成打下了重要基础;5)尝试生长了ZnO和ZnMgO等微纳米结构并取得了初步成果。已发表学术论文19篇(SCI收录10篇,EI收录5篇),已申请发明专利1项,培养博士后1人、博士生3人,硕士生6人。

结论摘要:

英文主题词GaAs microtip;growth solution rotation dump;supercooling;LPE; peeling


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 8
  • 0
  • 0
  • 2
  • 0
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