欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
2.2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb Laser Diode under Continuous Wave Operating at Room Temperature
ISSN号:1054-660X
期刊名称:Laser Physics
时间:2011.12.12
页码:493-495
相关项目:采用应变工程原理实现高性能中红外波段DWELL激光器结构
作者:
李占国|
同期刊论文项目
采用应变工程原理实现高性能中红外波段DWELL激光器结构
期刊论文 22
会议论文 3
专利 1
同项目期刊论文
2.0μm波段Sb基多量子阱材料的制备
Long Wavelength StrainEngineered InAs MultiLayer Stacks Quantum Dots Laser Diode on GaAs Sub
采用AlSb缓冲层生长2.3?m InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构
采用MBE外延生长1.6-2.3µm InGAAsSb/AlGaAsSb多量子阱的研究
InGaAs/GaAs应变量子阱激光器线宽展宽因子的理论研究
GaSb基半导体激光器功率效率研究
采用MBE生长1.6~2.3μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱
GaAs半导体激光器线宽展宽因子的理论计算
2.2 mu m InGaAsSb/AlGaAsSb laser diode under continuous wave operating at room temperature
用于先进太阳电池的InAs量子点材料制备与表征
Ga束流低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物的研究
高密度、长波长InGaAs量子点材料的制备与表征
Study on Surface Passivation Homogeneity of Gallium Antimonide using Photoluminescences
通讯波段低密度InAs量子点的研究
Long wavelength strain-engineered InAs five stacks quantum dots laser diode growth by molecular beam
具有电子阻挡层的2μm InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器
2μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究
2μm半导体激光器有源区量子阱数的优化设计
1.3μm InGaAsSb/GaAsSb量子阱激光器有源区结构设计