欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
采用AlSb缓冲层生长2.3?m InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构
ISSN号:1001-4322
期刊名称:强激光与粒子束
时间:2010.8.8
页码:1716-1718
相关项目:采用应变工程原理实现高性能中红外波段DWELL激光器结构
作者:
尤明慧|
同期刊论文项目
采用应变工程原理实现高性能中红外波段DWELL激光器结构
期刊论文 22
会议论文 3
专利 1
同项目期刊论文
2.0μm波段Sb基多量子阱材料的制备
Long Wavelength StrainEngineered InAs MultiLayer Stacks Quantum Dots Laser Diode on GaAs Sub
2.2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb Laser Diode under Continuous Wave Operating at Room Temperature
采用MBE外延生长1.6-2.3µm InGAAsSb/AlGaAsSb多量子阱的研究
InGaAs/GaAs应变量子阱激光器线宽展宽因子的理论研究
GaSb基半导体激光器功率效率研究
采用MBE生长1.6~2.3μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱
GaAs半导体激光器线宽展宽因子的理论计算
2.2 mu m InGaAsSb/AlGaAsSb laser diode under continuous wave operating at room temperature
用于先进太阳电池的InAs量子点材料制备与表征
Ga束流低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物的研究
高密度、长波长InGaAs量子点材料的制备与表征
Study on Surface Passivation Homogeneity of Gallium Antimonide using Photoluminescences
通讯波段低密度InAs量子点的研究
Long wavelength strain-engineered InAs five stacks quantum dots laser diode growth by molecular beam
具有电子阻挡层的2μm InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器
2μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究
2μm半导体激光器有源区量子阱数的优化设计
1.3μm InGaAsSb/GaAsSb量子阱激光器有源区结构设计
期刊信息
《强激光与粒子束》
中国科技核心期刊
主管单位:四川省科学技术协会
主办单位:四川核学会 中国工程物理研究院 中国核学会
主编:张维岩
地址:四川省绵阳市919-805信箱
邮编:621900
邮箱:hplpb@caep.cn
电话:0816-2485753
国际标准刊号:ISSN:1001-4322
国内统一刊号:ISSN:51-1311/O4
邮发代号:62-76
获奖情况:
原子能技术类核心期刊,国防科工委优秀期刊,四川省优秀期刊,中国期刊方阵“双效”期刊
国内外数据库收录:
美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
被引量:15694