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The modulation of Schottky barrier height of NiSi/n-Si Schottky diodes by silicide as diffusion sour
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：Chinese Physics B
  • 时间：0
  • 页码：4465-4469
  • 语言：英文
  • 相关项目：适于32纳米及以下集成电路技术节点的新型源漏结构GOI器件的研究
作者： Xu, Cong|Huang, Ru|Guo, Yue|Wang, Yang-Yuan|An, Xia|Zhang, Xing|Fan, Chun-Hui|
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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
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  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406