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Design and simulation of Gaussian CMOS FET for FEE shaping amplifier made only with of particle detector
  • ISSN号：1007-4627
  • 期刊名称：《原子核物理评论》
  • 时间：0
  • 分类：TN722.75[电子电信—电路与系统] TU998.13[建筑科学—市政工程]
  • 作者机构：[1]Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China, [2]Department of Physics, University of Douala, Cameroon
  • 相关基金：Support by the Third World Academy of Sciences （TWAS）, and the National Natural Science Foundation of China （No. 10735060）.
作者： WEMBE TAFO Evariste[1,2], SU Hong[1], QIAN Yi[1], KONG Jie[1], WANG Tongxi[1]
关键词： MOS场效应管, 探测器, 放大器, 设计, 高斯, CMOS晶体管, 颗粒, 成型, Shaping Amplifier, CMOS transistor, Gaussian, CR-RC＂ filter, Simulation
中文摘要：

Corresponding author. E-mail address： suhong@impcas.ac.cn

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期刊信息
  • 《原子核物理评论》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院近代物理研究所 中国核物理学会
  • 主编：肖国青
  • 地址：兰州市31号信箱
  • 邮编：730000
  • 邮箱：npr@impcas.ac.cn
  • 电话：0931-4969371/4
  • 国际标准刊号：ISSN：1007-4627
  • 国内统一刊号：ISSN：62-1131/O4
  • 邮发代号:54-183
  • 获奖情况:
  • 2009年1月获甘肃省优秀期刊奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:1602