位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
MOCVD Preparation and Properties of ZnO and Ni-doped ZnO Films
  • ISSN号：0251-0790
  • 期刊名称：Chemical Journal of Chinese Universities
  • 时间：2011.12.12
  • 页码：2717-2720
  • 相关项目：p型ZnNiO材料的MOCVD法制备、调制与掺杂问题研究
作者： Dong Xin|Wang Jin|Zhao Yang|Zhao Long|Zhao Wang|Shi Zhi-Feng|Xia Xiao-Chuan|Ma Yan|Du Guo-Tong|
同期刊论文项目
p型ZnNiO材料的MOCVD法制备、调制与掺杂问题研究
期刊论文 22 会议论文 5
同项目期刊论文
金属有机化学气相沉积法制备ZnO和ZnO:Ni薄膜及其特性分析
Study on the luminescence properties of n-ZnO/i-NiO/n-GaN isotype heterojunction diodes
Au层退火温度对ZnO/Au/ZnO多层膜的结构、光学及电学性质的影响
Vertical conducting ultraviolet light-emitting diodes based on p-ZnO:As/n-GaN/n-SiC heterostructure
p-Type NiZnO thin films grown by photo-assist metal–organic chemical vapor deposition
MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC异质结器件及其电致发光性能
Dominant ultraviolet electroluminescence from p-ZnO:As/n-SiC(6H) heterojunction light-emitting diode
Electrically driven ultraviolet random lasing from an n-MgZnO/i-ZnO/SiO2/p-Si asymmetric double hete
利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜
MOCVD法生长Ga、P掺杂的ZnO薄膜
Significant improvement of ZnS film electrical and optical performance by indium incorporation
期刊信息
  • 《高等学校化学学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中华人民共和国教育部
  • 主办单位:吉林大学 南开大学
  • 主编：周其凤
  • 地址：吉林大学南胡校区
  • 邮编：130012
  • 邮箱：cjcu@jlu.edu.cn
  • 电话：0431-88499216
  • 国际标准刊号：ISSN：0251-0790
  • 国内统一刊号：ISSN：22-1131/O6
  • 邮发代号:12-40
  • 获奖情况:
  • 首届及第二届国家期刊奖,连续两届“百种中国杰出学术期刊”,中国期刊方阵“双高”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:50676