欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
MBE生长GaAs薄膜表面形貌的RHEED图样研究
期刊名称:真空
时间:0
页码:31-33
语言:中文
相关项目:InGaAs表面相变过程的MBE/STM研究
作者:
潘金福|杨再荣|周勋|罗子江|丁召|何浩|贺业全|
同期刊论文项目
InGaAs表面相变过程的MBE/STM研究
期刊论文 24
同项目期刊论文
自组织InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点生长及退火情况的比较
InGaAs/GaAs异质薄膜的MBE生长研究
RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜
在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究
测定GaAs(001)衬底上InAs的生长速率
被引量:1
恒力场下粒子一维运动问题的求解
GaAs(001)-(2×4)重构下的表面形貌
GaAs(001)-(2×6)重构下的表面形貌及其重构原胞
GaAs(001)薄膜表面形貌相变过程
GaAs(001)表面预粗糙化过程中的临界减慢
MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究
MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点
InAs薄膜的分子束外延生长与表面形貌及表面重构分析
InAs(001)表面金属化的转变
InGaAs薄膜表面的粗糙化过程
InAs(001)表面脱氧动力学分析
不同应力下的InxGa1-xAs薄膜表面形貌
GaAs(001)表面重构
高In组分InGaAs薄膜的分子束外延生长及其表面分析
Step instability of the surface during Ino.2Gao.sAs (001) annealing