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Si3N4-MoSi2复合陶瓷导电性能研究
  • ISSN号：1002-185X
  • 期刊名称：稀有金属材料与工程
  • 时间：2011
  • 页码：196-198
  • 分类：TQ174.1[化学工程—陶瓷工业;化学工程—硅酸盐工业]
  • 作者机构：[1]清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
  • 相关基金：国家自然科学基金重大研究计划资助(90916025)
  • 相关项目：高超声速近空间飞行器用高温透波轻质复合结构的设计与制备
作者： 谭威|林旭平|马景陶|张宝清|
关键词： 二硅化钼, 氮化硅, 导电陶瓷
中文摘要：

研究不同MoSi2含量对Si3N4-MoSi2复合陶瓷导电性能的影响,并对导电机制进行分析。Si3N4-MoSi2复合陶瓷的电阻率随着MoSi2含量增加而降低,呈"S"型曲线。当MoSi2含量为30%~35%(体积分数,下同)时,电阻率由1010Ω·cm骤降至10-3Ω·cm。MoSi2作为导电相在复合陶瓷中起导电通道作用,当其含量超过30%时,导电相形成连通网络结构,使复合陶瓷电阻率迅速下降。复合陶瓷中有新相Mo5Si3生成,Mo5Si3相同样起导电相作用。

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期刊信息
  • 《稀有金属材料与工程》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国有色金属学会 中国材料研究学会 西北有色金属研究院
  • 主编：张平祥
  • 地址：西安市51号信箱
  • 邮编：710016
  • 邮箱：RMME@c-nin.com
  • 电话：029-86231117
  • 国际标准刊号：ISSN：1002-185X
  • 国内统一刊号：ISSN：61-1154/TG
  • 邮发代号:52-172
  • 获奖情况:
  • 首届国家期刊奖,中国优秀期刊一等奖,中国有色金属工业优秀期刊1等奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:24715