位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
热处理对离子束溅射SiO_2薄膜结构特性的影响分析
  • ISSN号:1007-2276
  • 期刊名称:《红外与激光工程》
  • 时间:0
  • 分类:TB34[一般工业技术—材料科学与工程] O434[机械工程—光学工程;理学—光学;理学—物理]
  • 作者机构:[1]哈尔滨工业大学光电子技术研究所可调谐激光技术国家级重点实验室,黑龙江哈尔滨150080, [2]天津津航技术物理研究所天津市薄膜光学重点实验室,天津300192, [3]同济大学物理系先进微结构材料教育部重点实验室,上海200092
  • 相关基金:国家自然科学基金(61235011); 天津市科委项目(10JCYBJC01500 12JCQNJC01200)
中文摘要:

采用离子束溅射沉积技术,在熔融石英基底上制备了SiO2薄膜,研究了热处理对离子束溅射SiO2薄膜结构特性的影响。热处理温度对表面粗糙度影响较大,低温热处理可降低表面粗糙度,高温热处理则增大表面粗糙度,选择合适的热处理温度,可以使表面粗糙度几乎不变。采用X射线衍射仪(XRD)物相分析方法,分析了热处理对离子束溅射SiO2薄膜的无定形结构特性的影响,当退火温度为550℃,离子束溅射SiO2薄膜的短程有序范围最大、最近邻原子平均距离最小,与熔融石英基底很接近,结构稳定。实验结果表明,采用合适的热处理温度,能大大改善离子束溅射SiO2薄膜的结构特性。

英文摘要:

SiO 2 films were deposited on fuse d silica substrates by ion beam sputtering(IBS) technology, and the effects of thermal treatment on structural characteristic were researched.The effects of annealing temperature on surface roughness of IBS-SiO 2 films were very large,low annealing temperature could reduce the surface roughness,but high annealing temperature could increase the surface roughness,the proper annealing temperature had almost no impact on surface roughness.Amorphous structures of IBSSiO 2 films were researched by XRD technology.When the annealing temperature was 550 ℃,the largest short range order and the shortest average distance were obtained,the results were the same as the fused silica substrate,and the structure was stable.Expermental results show that structural characteristic of IBS-SiO 2 films can be improved by the proper thermal treatment.

同期刊论文项目
同项目期刊论文
期刊信息
  • 《红外与激光工程》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国航天科工集团
  • 主办单位:天津津航技术物理研究所
  • 主编:张锋
  • 地址:天津市空港经济区中环西路58号
  • 邮编:300308
  • 邮箱:irla@csoe.org.cn
  • 电话:022-58168883 /4/5
  • 国际标准刊号:ISSN:1007-2276
  • 国内统一刊号:ISSN:12-1261/TN
  • 邮发代号:6-133
  • 获奖情况:
  • 1996年获航天系统第五次科技期刊评比三等奖,1998年获航天系统第六次科技期刊评比二等奖,1997-2001年在天津市科技期刊评估中被评为一级期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:17466