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Self-Assembled Dual In-Plane Gates Thin Film Transistors Gated by Nanogranular SiO2 Proton Conductor
  • ISSN号:2040-3364
  • 期刊名称:Nanoscale
  • 时间:2013.2.20
  • 页码:1980-1985
  • 相关项目:氧化物半导体纳米线双电层静电调控及其器件应用
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