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纳米结构HgTe的制备方法综述与展望
  • ISSN号:1005-023X
  • 期刊名称:材料导报
  • 时间:2011.11.11
  • 页码:10-13
  • 分类:TB383[一般工业技术—材料科学与工程]
  • 作者机构:[1]桂林理工大学材料科学与工程学院,桂林541004
  • 相关基金:国家自然科学基金(21063005;09012009);广西自然科学基金(2010GXNSFC013007;0640068);广西教育厅基金(200911ZL47);结构化学国家重点实验室科学基金(20100017)
  • 相关项目:近红外Hg系硫族化物纳米荧光探针的控制合成研究
中文摘要:

纳米结构HgTe的光学和电学性质较其它Ⅱ-Ⅵ族半导体材料更易于进行量子调控,其量子点有望作为近红外荧光探针应用于生物细胞和组织成像研究领域。简要综述了HgTe的结构与性能、国内外制备纳米结构HgTe的方法(物理和化学方法),并展望了其应用潜力。

英文摘要:

Due to the optical and electrical properties of nanostructure, HgTe are much easier adjusted than ot her Ⅱ-Ⅵ semiconductor materials, HgTe quantum as fluorescence probe have the potential to be used in imaging of biology cell and tissue. The structure and properies of HgTe are introduced briefly and the preparation of nanostructure HgTe via physical and chemical methods in domestic and foreign are reviewed. The application prospect of nano- structure HgTe is also concluded.

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期刊信息
  • 《材料导报:纳米与新材料专辑》
  • 主管单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主办单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主编:
  • 地址:重庆市渝北区洪湖西路18号
  • 邮编:401121
  • 邮箱:matreved@163.com
  • 电话:023-67398525
  • 国际标准刊号:ISSN:1005-023X
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1078/TB
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  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:3397