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Magnetic properties of Mn-doped ZnO diluted magnetic semiconductors
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O471[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China, [2]Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China
  • 相关基金：Project supported by the Shanghai Nanotechnology Promotion Center （Grant No 0452nm071） and the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos 50702071 and 50772122）.
作者： 刘学超[1,2], 张华伟[1,2], 张涛[1], 陈博源[1,2], 陈之战[1], 宋力昕[1], 施尔畏[1]
关键词： 弱磁半导体, 氧化锌, 锰掺杂, 基本原理计算, Mn-doped ZnO, diluted magnetic semiconductors, first-principle calculations
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： zzchen@mail.sic.ac.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406