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ZnO基稀磁半导体磁性机理研究新途径
  • 项目名称：ZnO基稀磁半导体磁性机理研究新途径
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：50772122
  • 申请代码：E0207
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2008-01-01-2010-12-31
  • 项目负责人：陈之战
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 批准年度：2007
中文摘要：

目前ZnO基稀磁半导体（DMS）研究存在很多问题。实验上对于同一种材料采用相同的制程往往获得不同的磁性结论；虽然磁性机理理论有多种，但均有局限性，用不同理论解释ZnO基稀磁半导体的磁性机理往往发生矛盾；理论研究和实验结论往往不能统一。基于此，本课题将从非磁性金属离子掺杂ZnO基薄膜材料制备和ZnO基异质结构的Spin-LED原型器件制作两方面，提出新的研究磁性机理的方法。非磁性金属离子掺杂可以避免磁性金属或氧化物产生第二相造成的非本征铁磁性；Spin-LED中极化光的获得和发光机理的研究是判定DMS材料铁磁机理最直接最有效的方法。通过项目的实施，澄清目前稀磁半导体磁性机理研究中许多有争议的科学问题，发展有特色的ZnO基稀磁半导体磁性理论，为稀磁半导体材料的应用打下基础。

中文主题词： ZnO，稀磁半导体，Spin-LED,极化光，磁性机理
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期刊论文
Magnetic properties of Mn-doped ZnO diluted magnetic semiconductors
Effect of donor localization on the magnetic properties of Zn- - Co- - O system
Synthesis and magnetic properties of Mn-doped ZnO hollow nanospheres
Fabrication of ZnO hollow nanospheres and "Jingle Bell" shaped nanospheres
Synthesis of Multi-shelled Mn-doped ZnO Hollow Spheres
Structural, optical and electrical properties of Ga-doped and (Ga, Co)-codoped ZnO films
Magnetic properties of different temperature treated Co- and Ni-doped ZnO hollow nanospheres
The local structure of Co-doped ZnO films studied by X-ray absorption spectroscopy
ZnO基稀磁半导体磁性机理研究进展
Co掺杂ZnO薄膜的局域结构和电荷转移特性研究
The mechanism of Al donor defects in (Zn,Co)O:Al: a view from resonant x-ray spectroscopies
Effect of oxygen partial pressure on the local structure and magnetic properties of Co-doped ZnO fil
非磁性元素掺杂ZnO稀磁半导体研究进展
Mn掺杂ZnO囊泡结构的制备
Magnetic properties of Mn-doped ZnO diluted magnetic semiconductors
Room-temperature anomalous Hall effect and magnetroresistance in （Ga, Co）-codoped ZnO diluted magnetic semiconductor films
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