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GaAs薄膜的有效量子限制长度及其极化子特性
  • ISSN号:1000-3290
  • 期刊名称:《物理学报》
  • 时间:0
  • 分类:O471.3[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]装甲兵工程学院基础部,北京100072, [2]北京师范大学物理系,北京100875
  • 相关基金:国家自然科学基金(批准号:10574011,10974017)资助的课题.
中文摘要:

本文用分数维方法研究Alx Ga1-x As衬底上GaAs薄膜中的极化子特性,提出了确定GaAs薄膜的有效量子限制长度的一个新方法,解决了原来方法中在衬底势垒处有效量子限制长度发散的困难,得到了Alx Ga1-x As衬底上GaAs薄膜中的极化子的维数和结合能。

英文摘要:

The polaron confined in a GaAs film deposited on Alx Ga1-x As substrate are investigated in the framework of the fractional-dimensional space approach. We propose a new approach to define the effective length of quantum confinement. Limitations of the definition of original effective well width are discussed. The dimension and the binding energy of a polaron confined in a GaAs film deposited on Al0.3Ga0.7As substrate are obtained and investigated.

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编:欧阳钟灿
  • 地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编:100190
  • 邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话:010-82649026
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3290
  • 国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:49876