位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Design of a low noise distributed amplifier with adjustable gain control in 0.15μm GaAs PHEMT
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：2012.3.15
  • 页码：65-68
  • 分类：TN943.5[电子电信—信号与信息处理;电子电信—信息与通信工程] TN929.11[电子电信—通信与信息系统;电子电信—信息与通信工程]
  • 作者机构：[1]Institute ofRF- ＆ OE-ICs, Southeast University, Nanjing 210096, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China（No.61106021）; the Chinese Postdoctoral Science Foundation（Nos. 20090461049.20090461048）; the Innovation Fund of Ministry of Science ＆ Technology for Small and Medium Sized Enterprises China（No.11C26213211234）
  • 相关项目：随机工艺变化下分布式放大器分析理论与方法研究
作者： 张瑛|王志功|徐建|罗寅|
关键词： 分布式放大器, 增益控制, PHEMT器件, 低噪声, GaAs, 可调, 高电子迁移率晶体管, 设计, distributed amplifiers, low noise, adjustable gain control, GaAs PHEMT
中文摘要：

Corresponding author. Email： zhangyingnjupt@126.com

同期刊论文项目
随机工艺变化下分布式放大器分析理论与方法研究
期刊论文 18 会议论文 2
　多标准全波段数字广播接收机RF芯片及相关技术产业化研究
期刊论文 6
同项目期刊论文
TD-LTE室内外组网的关键策略研究
一种10 bit 1 MS/s SAR ADC的设计实现
基于改进型遗传算法的数字电路优化
低功耗CMOS低噪声放大器的设计
基于2μm GaAs HBT工艺的L型分布式放大器设计
大型复杂GSM网络优化方法探讨
基于自适应模拟退火的NoC映射算法
数字电路设计的改进遗传算法
一种实时低成本压缩算法的VLSI实现
5.8GHz 0.18μm CMOS低噪声放大器的设计
一种低功耗CMOS LNA优化设计方法
0．6V CMOS低噪声放大器的设计与优化
基于2μ mGaAs HBT工艺的L型分布式放大器设计
基于遗传算法的共源级放大器优化设计
一种低温度系数的带隙基准电压源设计
一种基于T型匹配网络的分布式功率放大器设计
Design of a novel mixer with high gain and linearity improvement for DRM/DAB applications
基于2μ mGaAs HBT工艺的L型分布式放大器设计
新的高镜像抑制比DAB接收机射频前端架构的研究
DRM／DAB／AM／FM频率综合器中吞吐脉冲分频器的设计
一种应用于DRM/DAB／AM/FM射频前端的频率综合器
期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754