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利用C6H8O7/H2O2溶液对AlxGa1-xAs/GaAs的

ISSN号：1003-8213
期刊名称：《微细加工技术》
时间：0
分类：TN305[电子电信—物理电子学]
作者机构：[1]中国科学院半导体研究所光电子研发中心,北京100083 中国科学院半导体研究所光电子研发中心,北京100083 中国科学院半导体研究所光电子研发中心,北京100083 中国科学院半导体研究所光电子研发中心,北京100083 中国科学院半导体研究所光电子研发中心,北京100083 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
相关基金：国家自然科学基金资助项目(60376025);973国家重点基础研究发展计划资助项目(2006CB302802)

作者：李文兵[1], 韩勤[1], 杨晓红[1], 杜云[1], 朱彬[1], 倪海乔[1]

中文摘要：

针对MEMS(micro-electro-mechanical svstem)工艺中牺牲层的选择性腐蚀问题,提出了一种判断牺牲层是否完全腐蚀的新方法,解决了这一工艺难点.测定了C6H8O7/H2O2溶液对GaAs的腐蚀速率,并采用这种方法选择性腐蚀了一个带有GaAs牺牲层的DBR(distributed bragg reflector)结构,得到一个空气腔结构,结合GaAs的晶体结构,分析了GaAs的各向异性腐蚀特性,为实际MEMS器件的制作奠定了基础.

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