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拓扑绝缘体Bi2Se3单晶体的研究进展
  • ISSN号:1005-023X
  • 期刊名称:材料导报
  • 时间:2013.6.6
  • 页码:7-12
  • 分类:O4[理学—物理]
  • 作者机构:[1]西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031
  • 相关基金:国家自然科学基金(51002125);中央高校基本科研业务费专项资金(SWJTU12CX018;SWJTU11ZT16;SWJTU11ZT29;SWJ-TU10XS33)
  • 相关项目:新型粘结钙钛矿锰氧化物体系的制备及性能研究
中文摘要:

拓扑绝缘体是当前凝聚态物理和材料科学研究的热门课题,其独特的电子态结构使其在自旋电子器件和量子计算机等领域拥有巨大的应用潜力.阐述了拓扑绝缘体Bi2 Se3单晶的制备方法、输运性质以及表面调控效应等方面的最近进展;总结了各种化学掺杂方法对Bi2 Se3费米能级的影响,同时展望了今后Bi2 Se3的研究发展方向.

英文摘要:

Topological insulators have sparked a wide research interest in condensed matter physics and material research due to their potential application in spintronics and quantum computer. Recent advance in the crystal growth, transport properties, and modification of surface states of topological insulator Bi2 Sea crystals is reviewed. Meanwhile, chemical doping methods widely applied to adjusting the Fermi level of Bi2Sea crystals are summarized, and the development phosphors are pointed out.

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期刊信息
  • 《材料导报:纳米与新材料专辑》
  • 主管单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主办单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主编:
  • 地址:重庆市渝北区洪湖西路18号
  • 邮编:401121
  • 邮箱:matreved@163.com
  • 电话:023-67398525
  • 国际标准刊号:ISSN:1005-023X
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1078/TB
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  • 被引量:3397