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Cr掺杂半导体CdTe的半金属铁磁性研究
  • ISSN号:1005-023X
  • 期刊名称:《材料导报》
  • 时间:0
  • 分类:TM27[电气工程—电工理论与新技术;一般工业技术—材料科学与工程] O482[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]咸宁学院物理系,咸宁437005, [2]华中科技大学物理系,武汉430074
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(50272022);武汉市青年科技晨光计划项目(20045006071-40)
中文摘要:

采用基于密度泛函理论(DFT)的平面渡赝势(PWPP)方法和全势线性缀加平面渡(FPLAPW)方法研究了Cr掺杂半导体CdTe的电子结构和磁性。通过对自旋极化的态密度、磁矩以及铁磁态和反铁磁态的总能量的分析,理论预测到Cr掺杂半导体CdTe是一个半金属铁磁体,其在半导体自旋电子学中应该有一定的应用。

英文摘要:

The electronic structure and the magnetism of Crdoped semiconductor CdTe are studied by the phane-wave pseudopotential method and the full-potential linearized augmented plane-wave method based on the density functional theory. Spin-polarized density of states, magnetic moment and total energy in the ferromagnetic and antiferromagnetic states are calculated. The calculations indicate that Cr doped semiconductor CdTe is a half-metallic ferromagnet,and therefore Crdoped CdTe should be useful in semiconductor spintronics.

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期刊信息
  • 《材料导报:纳米与新材料专辑》
  • 主管单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主办单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主编:
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  • 邮编:401121
  • 邮箱:matreved@163.com
  • 电话:023-67398525
  • 国际标准刊号:ISSN:1005-023X
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1078/TB
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  • 被引量:3397