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GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测材料的结构厚度获取方法
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN213[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]淮阴师范学院江苏省低维材料化学重点建设实验室,江苏淮安223300, [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目（10234040）;江苏省高校自然科学基金资助项目（05KJD140038）.致谢 感谢中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室陆卫研究员、王少伟副研究员的帮助!
作者： 陈贵宾[1,2]
关键词： GAAS/ALGAAS, 多量子阱材料, 透射光谱, 结构厚度, GaAs/AlGaAs multi-quantum well, transmission spectrum, structural thickness
中文摘要：

通过常规的透射光谱测量，提供一种获取GaAs／AlGaAs多量子阱材料中上电极层、多量子阱区域实际生长厚度的简便、无损伤的方法，这两个厚度参数在器件制备工艺、材料生长参数修正中起关键作用．

英文摘要：

A convenient and nondestructive method for determining the structural thickness of GaAs based multi- quantum well material with conventional transmission spectrum measurement is presented. The obtained parameters are very valuable for the device fabrication and the material growth.

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406