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P型ZnO掺杂及其发光器件研究进展与展望

ISSN号：1005-023X
期刊名称：《材料导报》
时间：0
分类：TN304.21[电子电信—物理电子学] TN383[电子电信—物理电子学]
作者机构：[1]大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连116024, [2]吉林大学电子工程学院,长春130023
相关基金：国家自然科学基金资助项目（60307002）;吉林大学创新基金

作者：王新胜[1], 杨天鹏[2], 刘维峰[1], 徐艺滨[1], 梁红伟[1], 常玉春[1,2], 杜国同[1,2]

关键词： ZNO薄膜, P型掺杂, 第一性原理, MOCVD, MBE, ZnO, p-type doping, the first principal, MOCVD, MBE

中文摘要：

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体，具有很多优异的的光电性能。但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型，很难实现P型的掺杂。ZnO的P型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术，也是目前ZnO研究的关键课题。目前在P型ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展，对此进行了详细的分析与论述，并且展望了P型ZnO薄膜制备的前景。

英文摘要：

ZnO is a new kind of novel semiconductor of the Ⅱ-Ⅵ group with wide band gap and has a lot of unique photoelectric properties. But ZnO thin film is n-type material in general, so that it is hard to achieve p-type doping. P-type doping ZnO is a key technology of optic electronic applications that is a hotspot of the study. In present, great developments on the p-type doping theories and experiments of ZnO have been achieved. This paper reviews the detail and forecast the preparation trends of p-type ZnO film.

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