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缺陷调控对氧化锌纳米棒阵列光电响应与恢复性能的影响
  • ISSN号:1001-9731
  • 期刊名称:《功能材料》
  • 时间:0
  • 分类:O473[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构:华中科技大学材料科学与工程学院,武汉430074
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(50927201)
中文摘要:

通过在空气和氮气中不同温度的退火处理对氧化锌内部缺陷进行调控,并研究了缺陷调控对氧化锌光电响应和恢复性能的影响。在空气气氛中,随着退火温度的升高,氧空位和锌空位的浓度逐渐增加。在氮气中高温退火后,氧空位浓度增加,锌空位却被湮灭。退火后的氧化锌纳米棒阵列比未退火的氧化锌纳米棒阵列表现出更显著的光电恢复效率(最高提高约40倍),然而,退火后的氧化锌纳米棒阵列对紫外光的光电响应速率却被减弱。

英文摘要:

In this paper9 the intrinsic defects in ZnO nanorod array films are adjusted through the annealing treat -ment. The annealing treatments are conducted both in air and nitrogen at different temperatures. When annealed in oxygen 9 the concentration of oxygen vacancy and zinc vacancy increased with the increasing annealing temper-ature. When annealed in nitrogen at high temperatures, the concentration of oxygen vacancy increased while the zinc vacancy was vanished due to the low oxygen pressure. The annealed ZnO nanorod arrays behaved more re-markable photoelectric recovery efficiency (improved 40 times maximumly). Nevertheless, the changes of oxy-gen vacancy concentration brought the decrease of concentration of photogenerated carriers. Thus9 the annealed ZnO nanorod arrays behaved degenerate response rate than ZnO nanorod array without annealing treatment.

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期刊信息
  • 《功能材料》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:重庆材料研究院
  • 主办单位:重庆材料研究院
  • 主编:黄伯云
  • 地址:重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
  • 邮编:400707
  • 邮箱:gnclwb@126.com
  • 电话:023-68264739
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-9731
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1099/TH
  • 邮发代号:78-6
  • 获奖情况:
  • 2008、2011年连续获中国精品科技期刊,2010获重庆市双十佳期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:30166