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关于金属磁记忆检测中背景磁场抑制的讨论

期刊名称：无损检测，2007，29（2）：71～73．（EI源）
时间：0
分类：TG115.28[金属学及工艺—物理冶金;金属学及工艺—金属学]
作者机构：[1]装甲兵工程学院装备再制造技术国防科技重点实验室,北京100072
相关基金：国家自然科学基金项目（50505052）
相关项目：金属磁记忆技术预测再制造铁磁性机械部件寿命的基础研究

关键词：金属磁记忆检测, 背景磁场, 通道补偿法, Metal magnetic memory testing, Background magnetic field, Channel-compensated method

中文摘要：

通过具体试验，对当前金属磁记忆检测中普遍采用的利用通道补偿的背景磁场抑制方法进行了验证。结果发现通道补偿法并不能真正去除背景磁场对金属磁记忆检测的影响；同时，进一步对背景磁场对金属磁记忆检测的影响进行了分析，指出了相关的影响因素，并提出利用有限元分析消除背景磁场对金属磁记忆检测的影响的方法。

英文摘要：

Investigations were made on the channel-compensated method of background magnetic field control, which was widely used in metal magnetic memory testing. Experimental results showed that the method did not eliminate the influence of background magnetic field. Moreover, the related influence factors were pointed out based on the above analysis, and a finite element analysis method for background magnetic field control in metal magnetic memory testing was put forward.

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