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Si基太阳电池用SiNx:H薄膜的研究进展
  • ISSN号:1005-023X
  • 期刊名称:《材料导报》
  • 时间:0
  • 分类:TN305.2[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]中国科学院电工研究所,北京,100080 中国科学院电工研究所,北京,100080 北京交通大学光电子技术研究所,北京,100044 中国科学院电工研究所,北京,100080
  • 相关基金:国家863计划项目(2006AA04Z345)
中文摘要:

SiNx:H薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用,在晶体硅太阳电池(单晶硅、多晶硅)的研究和生产中得到越来越广泛的应用.介绍了SiNx:H薄膜在硅基太阳电池中的减反射和钝化作用,主要制备方法等研究现状,以及面临的问题和今后的研究趋势.

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期刊信息
  • 《材料导报:纳米与新材料专辑》
  • 主管单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主办单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主编:
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  • 邮编:401121
  • 邮箱:matreved@163.com
  • 电话:023-67398525
  • 国际标准刊号:ISSN:1005-023X
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1078/TB
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  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:3397