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Perpendicular magnetic tunnel junction and its application in magnetic random access memory
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TQ58[化学工程—精细化工] TP333.8[自动化与计算机技术—计算机系统结构;自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
  • 作者机构：[1]Beijing National Laboratory of Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China
  • 相关基金：Project supported by the State Key Project of Fundamental Research of Ministry of Science and Technology, China （Grant No. 2010CB934400） and the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos. 51229101 and 11374351）.
作者： Liu Hou-Fang Syed Shahbaz Ali Han Xiu-Feng[1]
关键词： 随机存取存储器, 磁性隧道结, 应用程序, 垂直磁各向异性, 正交, 物业管理公司, TBFECO, 锰合金, magnetic random access memory, perpendicular magnetic anisotropy, spin transfer torque effect,magnetic tunnel junction
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： xfhan@iphy.ac.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
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  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406