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激发波长对多孔硅荧光特性的影响
  • ISSN号:1000-0593
  • 期刊名称:光谱学与光谱分析
  • 时间:0
  • 页码:762-764
  • 语言:中文
  • 分类:O472[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]汕头大学应用物理系,广东汕头515063
  • 相关基金:教育部“留学归国人员科研启动基金”(2005年度),广东省自然科学基金项目(5300568),教育部科学技术研究重点项目(206110)和国家自然科学基金项目(10674091)资助 致谢:感谢林月鹃老师在SEM测量方面的支持.
  • 相关项目:含偶氮苯的香蕉形铁电液晶材料的合成与电光特性研究
中文摘要:

用荧光光谱仪测量了多孔硅样品的任一给定点的荧光特性与激发波长的依赖关系,发现当激发波长从650nm变到340nm时,该点的荧光谱峰位从780nm连续蓝移到490nm。用扫描电子显微镜(SEM)对多孔硅的截面进行了分析,结果显示多孔硅具有分形特性,这同作者的计算机模拟结果一致。结合多孔硅样品的激发光谱测量结果,多孔硅的荧光特性随激发波长改变的现象可以归因于多孔硅的分形结构以及量子尺寸效应。

英文摘要:

With the technique of fluorescence spectral analysis, the dependence of the fluorescence from porous silicon on the excitation wavelength was investigated. It was found when the excitation wavelength decreases from 650 to 340 nm, the fluorescence spectrum of porous silicon blue shifts continuously from 780 to 490 nrn. Using scanning electron microscopy (SEM) and computer simulation, the cross-sectional structures of porous silicon were studied. The authors' results showed that the microstructures of porous silicon exhibit fractal characteristics. With the additional information extracted from the excitation spectra of porous silicon, the authors' results can be interpreted in terms of the quantum size effect and the fractal structures of porous sillcon.

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期刊信息
  • 《光谱学与光谱分析》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国光学学会
  • 主编:高松
  • 地址:北京海淀区魏公村学院南路76号
  • 邮编:100081
  • 邮箱:chngpxygpfx@vip.sina.com
  • 电话:010-62181070
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-0593
  • 国内统一刊号:ISSN:11-2200/O4
  • 邮发代号:82-68
  • 获奖情况:
  • 1992年北京出版局编辑质量奖,1996年中国科协优秀科技期刊奖,1997-2000获中国科协择优支持基础性高科技学术期刊奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国生物医学检索系统,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:40642