中文摘要：

光电子集成是未来半导体光电子器件技术的发展趋势，以集成芯片替代分立元器件，是应对光通信所面临的容量和能耗两大挑战的重要解决方案。本项目以研制10×10Gb/s并行光发射集成芯片和100Gb/s光子路由集成芯片为主线，集中研究光电子集成中的新现象、新机理和新技术；解决芯片设计、集成工艺、测试分析、封装设计和系统实验中的一系列问题；探索多种功能微结构单片集成制备技术兼容性的解决方案，研究集成芯片激光模式的产生、转换、调谐与稳定机制，研究高速集成芯片内部微波、光波相互作用及非线性效应的影响，揭示光子集成芯片的物理特性和响应机理；实现10×10Gb/s发射和100Gb/s光子路由集成芯片的研制；在人才队伍建设方面，形成一支能完成重大国家战略研究计划，引领国内高速光电子集成技术发展，在国际上有影响的研究队伍。

结论摘要：

该项目研制出10×10Gb/s 并行光发射集成芯片和100Gb/s 光子路由集成芯片，集中研究了光电子集成中的新现象、新机理和新技术；解决了芯片设计、集成工艺、测试分析、封装设计和系统实验中的一系列问题。项目完成情况已达到验收要求，具体情况如下 1．完成了8×12.5Gb/s直接调制激光器阵列芯片和4×25Gb/s集成光源（DFB＋EAM）阵列芯片的模块封装和性能测试，该器件满足100Gb/s的DWDM应用需求，适应于下一代接入网低成本的发展需求。高速直调激光器方面获得2013年度国家技术发明二等奖。 2．制作完成10？10Gb/s单片集成光子集成芯片。在多波长激光器阵列的波长间隔控制上实现了超越传统技术的精密控制。基于重构-等效啁啾技术对多波长激光器阵列中激光器的波长间隔进行了研究，实现了60个波长发射的激光器阵列，该成果发表在自然子刊Scientific Reports上。 3．提出了面向100Gb/s波长转换的两种集成新结构，包括基于瞬态啁啾跃变的集成结构和基于加速开关的集成结构，并研制出了原型器件。 4. 该项目研究期间,在自然子刊Scientific Reports等国际期刊上发表SCI论文181篇，获授权发明专利38项。培养研究生93名。项目组一人入选教育部“长江学者”特聘教授，2人获得自然基金优青资助，2人入选教育部新世纪计划，1人获得中科院“卓越青年科学家” ，北京市“科技新星”及中组部青年拔尖人才。