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二维物理吸附表面缺陷和相变的正电子湮没研究
  • 项目名称：二维物理吸附表面缺陷和相变的正电子湮没研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：18870735
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：王少阶
  • 依托单位：武汉大学
  • 批准年度：1988
王少阶的项目
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期刊论文 25 会议论文 13 著作 1