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正电子束技术及其应用国际研讨会
  • 项目名称：正电子束技术及其应用国际研讨会
  • 项目类别：国际(地区)合作与交流项目
  • 批准号：10410301240
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：王少阶
  • 依托单位：武汉大学
  • 批准年度：2004
王少阶的项目
二维物理吸附表面缺陷和相变的正电子湮没研究
正电子能量转换若干关键技术预研究
Ⅲ-Ⅴ族半导体缺陷结构、电荷态及亚稳态的正电子研究
期刊论文 1
用正电子湮没研究高温超导体中结构缺陷和电荷密度分布
电子偶素分子产生的实验研究
期刊论文 15
第九届国际正电子与正电子素化学会议
用正电子湮没技术研究聚合物材料自由体积及结构特性
具有高慢化效率和寿命测量功能的新型正电子束研究
期刊论文 25 会议论文 13 著作 1