中文摘要：

ZnO具有优异的光电性能，其异质结在光电子器件方面有巨大的潜在应用价值。采用化学汽相沉积，通过改变实验条件合成了各种ZnO，测试其光学性能；研究了生长条件对纳米结构形貌的影响，为可控合成ZnO纳米结构从而构成异质结提供基础；采用电化学沉积和水浴法合成ZnO纳米棒和纳米管阵列；在上述纳米结构的合成基础上，合成了ZnO阵列/p-Si异质结构；采用磁控溅射在ZnO阵列上镀一层三苯基二胺（TPD），合成了ZnO纳米棒阵列/TPD和ZnO纳米管阵列/TPD异质结构；这些结构电压-电流特性测试显示都具有一定的整流特性，为下一代ZnO基的光电子器件的设计、合成和应用提供实验基础。在多孔氧化铝模板中120℃油浴合成一种新颖CuS分级纳米结构阵列，该纳米结构为纳米线顶端生长纳米片状结构，可能在太阳能器件方面有重要的应用价值，该方法的优点在于化学浴与电化学相结合，为无机化合物半导体的合成拓宽了途经；采用CVD方法合成ZnO/ZnS复合纳米花样结构，该结构具有增强的绿光发光性能，对ZnO纳米结构光学性能的调制有参考价值。