利用化学气相沉积方法合成了各种形貌的氧化锌纳米结构;在国际上首次利用化学气相沉积方法,低温合成分级的In2O3(ZnO)10超晶格结构纳米线,样品的x射线衍射数据填补了JCPDS数据库的空白。基于量子点的S-K生长模式,讨论了其生长机制。低温合成分级的In2O3(ZnO)10超晶格纳米结构是制备高密度集成功能器件重要的一步;通过化学气相沉积合成的InAlO3(ZnO)m超晶格结构纳米线,研究了纳米线直径与阱宽的关联性;国际上率先合成了InGaO3(ZnO)3超晶格结构纳米带,这类材料是非常适合制作透明的TFET器件的有源层。通过化学气相沉积方法国际上首次合成In2O3(ZnO)m/ZnO异质结构超晶格纳米带和SiO2/ZnO异质结构纳米带并研究了其发光性质。不仅仅为研究纳米科学中的若干基本问题提供了可行的模型体系,也为进一步实现纳米器件集成应用铺平了道路;利用PL Mapping方法讨论了光在一维纳米带中的传播特性,观察到纳米带中F-P干涉引起的多腔膜发光;研究了电子在一维纳米线中的传输特性。通过光致发光法研究了材料的光学性质,由于其特殊的能带结构,导致观察到奇特的发光性质。
英文主题词Superlattice; Heterostructure; Electron transport; Nanostructure; Photoluminescence