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离子辐照制备太赫兹发射晶体的机理研究
  • 项目名称:离子辐照制备太赫兹发射晶体的机理研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:10875161
  • 申请代码:A050406
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人:朱智勇
  • 负责人职称:研究员
  • 依托单位:中国科学院上海应用物理研究所
  • 批准年度:2008
中文摘要:

本项目将借助于多种核分析技术和太赫兹时域光谱装置,通过对多种条件下辐照的Si和GaAs晶体的微观结构和宏观性能进行测量和分析,系统研究辐照对太赫兹晶体发射性能的影响,即一方面研究辐照产生的缺陷结构与辐照条件的关系,另一方面探讨不同的缺陷结构及其分布对太赫兹晶体发射参数的影响,以期达到深入认识辐照改性机理的目的,为利用辐照技术研制高性能太赫兹发射和探测晶体提供数据和依据。

结论摘要:

英文主题词Modification by irradiation; nuclear analysis techniques; Optical devices in THz range


成果综合统计
成果类型
数量
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  • 会议论文
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