中文摘要：

本申请紧密围绕国家基金委重大研究计划项目《纳米科技基础研究》中"表征纳米体系的新原理和新手段和微区探测"及"纳米材料的设计与制备"这两个科学问题及其交叉，选择一些有代表性的氧化物半导体纳米材料(ZnO, SnO2等)，借助化学修饰、微加工与体系自组织等方法，侧重发展低温及可控的氧化物半导体纳米探针的定位生长技术。通过对探针的形态、晶型、掺杂、尺寸等参量的设计与控制，制备出可用于STM表征的氧化物半

结论摘要：

开展氧化物纳米阵列的可控制备与性能调控研究，完善相应的制备与调控方法，是纳米氧化物结构应用的基础。本项目执行以来，借助双温区蒸发/双源阀控的气相输运-沉积设备，在一系列衬底上实现并逐步拓展了形态（特别是尖端形态）及物性（如导电，发光，压电，场发射等）可调控的单晶氧化锌纳米探针及其大面积整齐阵列的批量可重复制备方法；特别是在氮化镓外延膜上实现了既具有c轴统一取向，又具有面内六重对称性的纳米棒和纳米探针阵列；以氮化镓外延膜为衬底，利用生长晶向的切换调控，进一步实现了基于氧化锌纳米探针分级结构的空间有序网络的自组装；借助SEM、PL、CL、SPM等已有的分析技术获得了这些纳米探针阵列的形貌、结构、电学、光学，压电，场发射等特性；特别地，利用CAFM、FESEM（安装有CL附件）、分析型HRTEM和电子术曝光加工的纳米电极，测量并研究了单根氧化锌纳米探针的电学、压电、光学（兼有空间分辨率和谱学分辨率）特性及其和尺寸形态之间的相关性；研究了不同尖端形貌的氧化锌纳米探针阵列的场发射特性；发现并初步研究了单根纳米探针的隧穿电流对真空度的依赖性，并利用该效应设计出一种新型的纳米真空规传感器。