位置：立项数据库 > 立项详情页
InGaAs失配体系材料的界面特性及缺陷形成机制研究
  • 项目名称：InGaAs失配体系材料的界面特性及缺陷形成机制研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61474053
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：郭作兴
  • 依托单位：吉林大学
  • 批准年度：2014
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
Structure optimization of high indium content InGaAs/InP heterostructure for the growth of In（0.82）Ga（0.18）As buffer layer
TEM study of dislocations structure in In0.82Ga0.18As/InP leterostructure with InGaAs as buffer layer
郭作兴的项目