中文摘要：

微观结构和不合身的衣服脱臼行为在在 _x Ga _1x 低压力金属种的 As/InP heteroepitaxial 材料器官的化学蒸汽免职( LP-MOCVD )被高分辨率传播电子显微镜学( HRTEM )分析，扫描电子显微镜学( SEM )，原子力量显微镜学( AFM )，拉曼光谱学和霍尔效果大小。优化结构在 _0.82 Ga _0.18 As/InP heterostructure，在里面 _x Ga _1x 作为缓冲区，层被种。剩余紧张在里面 _0.82 Ga _0.18 同样取向附生的层被计算。进一步，在接口的不合身的衣服脱臼的周期的生长模式被发现并且验证。然后，表面形态学和材料的微观结构上的不合身的衣服脱臼的效果被学习。这被发现高铟的不合身的衣服脱臼(在里面) 在 _0.82 Ga _0.82 同样取向附生的层在搬运人集中上有重要影响。

英文摘要：

Microstructure and misfit dislocation behavior in InxGa（1-x）As/InP heteroepitaxial materials grown by low pressure metal organic chemical vapor deposition（LP-MOCVD） were analyzed by high resolution transmission electron microscopy（HRTEM）, scanning electron microscopy（SEM）, atomic force microscopy（AFM）, Raman spectroscopy and Hall effect measurements. To optimize the structure of In（0.82）Ga（0.18）As/InP heterostructure, the InxGa（1-x）As buffer layer was grown. The residual strain of the In（0.82）Ga（0.18）As epitaxial layer was calculated. Further, the periodic growth pattern of the misfit dislocation at the interface was discovered and verified. Then the effects of misfit dislocation on the surface morphology and microstructure of the material were studied. It is found that the misfit dislocation of high indium（In） content In（0.82）Ga（0.18）As epitaxial layer has significant influence on the carrier concentration.