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加速器管道真空室表面沉积NEG吸气膜机理与关键技术研究
  • 项目名称:加速器管道真空室表面沉积NEG吸气膜机理与关键技术研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:10675119
  • 申请代码:A050503
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2007-01-01-2009-12-31
  • 项目负责人:王勇
  • 负责人职称:研究员
  • 依托单位:中国科学技术大学
  • 批准年度:2006
中文摘要:

TiZrV合金在180度下加热24小时即可激活,是目前发现的激活温度最低的NEG吸气剂,为此我们使用其作为镀膜材料。根据加速器管道镀膜的特点,采用双辅助真空室设计,建造了一台细长管道自体真空磁控溅射镀膜实验装置。用氩气作为放电气体进行溅射镀膜,在不锈钢管道内壁获得了高品质、均匀的TiZrV吸气薄膜。利用能量弥散X射线谱(EDX)和X射线光电子能谱(XPS)对薄膜组成成份进行测量分析,使用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜的表面形貌,使用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的微观结构,另外还对不锈钢基体镀TiZrV膜前后的二次电子产额(SEY)进行了测量。测试结果表明TiZrV薄膜的成分比基本保持在30%Ti、30%Zr、40%V区间,即此吸气薄膜的"低激活温度区"内;TiZrV薄膜具有无定形的结构,由微小的纳米晶粒组成;镀有TiZrV薄膜的不锈钢样品,在加热激活TiZrV薄膜后,其二次电子产额有明显下降,峰值由2.03降到1.55,低于不锈钢和无氧铜材料。在此研究成果的基础上,我们设计建造了一台3000mm管道自体真空磁控溅射镀膜装置。

结论摘要:

英文主题词vacuum material;megnetron sputtering;Surface treatment;NEG film; secondary electron yield;


成果综合统计
成果类型
数量
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