中文摘要：

采用MOCVD等方法制备氧化锡薄膜，研究制备条件、退火过程和衬底材料对薄膜结构的影响；研究薄膜生长的晶格适配问题，寻找合适的衬底材料，探索用MOCVD方法制备高质量氧化锡薄膜的最佳工艺条件；研究薄膜的发光性质及其与薄膜结构的关系；通过进行掺杂引入新的复合中心，研究掺杂薄膜的发光特性和及能带结构；研究氧化锡薄膜的发光机制，对氧化锡薄膜光发射给予理论上的解释。蓝光发光二极管和蓝光及紫外光激光器在全色显示、白光照明以及光信息存储等领域有着极其广阔的应用前景。与氮化镓和氧化锌相比较，氧化锡材料不仅具有更宽的带隙（3.6eV）和更高的激子束缚能(130meV)，而且具有制备温度低和物理化学稳定性好等优点，是一种很有前途的紫外和蓝光材料。研究高质量氧化锡薄膜的制备和发光性质，弄清其发光机理，将为该材料在紫外光和蓝光器件上的应用奠定基础。因此，该项研究既具有重要的科学意义又具有良好的应用前景。

结论摘要：

采用MOCVD、APCVD和磁控溅射方法制备氧化锡薄膜，研究制备条件和衬底材料对薄膜结构和光电性质的影响；研究薄膜生长的晶格适配问题和最佳工艺条件；研究了纯氧化锡薄膜和铟（Ⅲ族元素）掺杂及锑（Ⅴ族元素）掺杂氧化锡薄膜的电学、光学性质和发光机制。在蓝宝石衬底上成功外延生长出高质量的氧化锡单晶薄膜，外延关系为SnO2 (100)∥Al2O3 (0001)。室温光致发光测量首次在331nm（3.746eV）附近得到了由氧化锡带间跃迁产生的强而单一的紫外发光峰，研究纯氧化锡薄膜和掺杂氧化锡薄膜的光致发光精细结构，确定了施主和受主能级的位置。研究了退火处理对薄膜性能的影响，获得了具有高稳定性的n型氧化锡外延单晶薄膜。在氧化锆衬底上也外延生长出氧化锡单晶薄膜。用APCVD法和磁控贱射法在不同衬底上制备出氧化锡和掺杂氧化锡薄膜，室温光致发光测量显示，在334nm附近观测到紫外发光峰，对SnO2:Sb的光致发光机制进行了研究。研究高质量氧化锡薄膜的制备和发光性质，弄清其发光机理，将会提升氧化锡材料在紫外和透明光电子器件方面潜在的应用价值。