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中文摘要：
本项目拟以高性能日盲型紫外光探测器的研发为导向，优化选择4H-SiC纳米线阵列为材料体系，通过制备工艺的精细设计与调控，实现纳米线阵列的生长及其结构参数如周期、填充率、尺寸、结晶取向、空间排列等的精细控制，进而探索阵列结构对其室温和高温光探测性能的影响，最终构筑具有高灵敏、高增益、低噪声的新型日盲型紫外光探测系统。研究工作将深入揭示4H-SiC纳米线阵列结构与光探测性能间的关联，阐明其光探测特性与机理，有望通过阵列结构的精细设计与优化，获得性能优异的能在高温下稳定工作的日盲型紫外光探测器。相关工作是在大量研究积累基础上的重要延伸和拓展，项目的实施将为SiC纳米线阵列用作高温紫外光探测提供一定的基础数据和关键技术，具有显著的科学意义和潜在的应用价值。
结论摘要：
英文主题词silicon carbide；sic；photodetector；UV；nanowire
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