位置:立项数据库 > 立项详情页
纳米碳化硅薄膜的制备、稀土掺杂及光电发射特性
  • 项目名称:纳米碳化硅薄膜的制备、稀土掺杂及光电发射特性
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:10074049
  • 申请代码:A040106
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2001-01-01-2003-12-01
  • 项目负责人:刘技文
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:天津理工大学
  • 批准年度:2000
中文摘要:

采用射频磁控溅射随后退火或衬底原位加热制备纳米米晶及稀土掺杂纳米晶碳化硅薄膜,研究生长机理、纳米尺度、微结构和界面效应、掺杂种类和密度影响光发射和场发射的规律,通过改变以上条件,消除光发射温度猝灭效应,提高蓝光发射效率;调整电子亲和势,使其具有低阈值、强场发射特性,为发光器件、激光器件和平板显示开拓全新的半导体材料。

结论摘要:

英文主题词SiC,nanocrystal films, nanofibers, photoluminescence, field electron emission


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 1
  • 0
  • 0
  • 0
  • 3
相关项目
期刊论文 17 会议论文 5
期刊论文 29 会议论文 7 获奖 4 著作 2
刘技文的项目