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　氮化鎵基发光二极管中V型缺陷的作用研究
  • 项目名称：　氮化鎵基发光二极管中V型缺陷的作用研究
  • 批准号：GJJ150207
  • 项目来源：2015年度江西省教育厅科学技术研究项目
  • 研究期限：2016-01-
  • 项目负责人：全知觉
  • 依托单位：南昌大学
  • 批准年度：2015
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期刊论文 10