位置：立项数据库 > 立项详情页
GaN基蓝光LED内量子效率的温度droop效应研究
  • 项目名称：GaN基蓝光LED内量子效率的温度droop效应研究
  • 项目类别：地区科学基金项目
  • 批准号：11364034
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：全知觉
  • 依托单位：南昌大学
  • 批准年度：2013
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 10
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
量子阱结构对含V形坑InGaN/GaN蓝光LED效率衰减的影响
刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-GaN表面粗化的影响
p型层结构与掺杂对GaInN发光二极管正向电压温度特性的影响
The Efficiency Droop of InGaN-Based Green LEDs with Different Superlattice Growth Temperatures on Si Substrates via Temperature-Dependent Electroluminescence
Si(111)衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响
InGaN/GaN多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究
图形硅衬底GaN基发光二极管薄膜去除衬底及AlN缓冲层后单个图形内微区发光及应力变化的研究
硅衬底氮化镓基LED薄膜转移至柔性黏结层基板后其应力及发光性能变化的研究
硅基板和铜基板垂直结构GaN基LED变温变电流发光性能的研究
Influence of growth rate on the carbon contamination and luminescence of GaN grown on silicon
全知觉的项目
　氮化鎵基发光二极管中V型缺陷的作用研究
氮化镓基发光二极管中V坑空穴注入的研究