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氮化镓基发光二极管中V坑空穴注入的研究
  • 项目名称：氮化镓基发光二极管中V坑空穴注入的研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：11674147
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：全知觉
  • 依托单位：南昌大学
  • 批准年度：2016
全知觉的项目
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期刊论文 10