中文摘要：

本项申请是针对2006年12月结题的NSAF联合基金"非线性光电导开关设计技术研究（批准号: 10376025）"于2007年被授予NSAF联合基金特优奖的延续课题。研究非线性GaAs光电导开关在强电场触发下形成Lock on 效应的稳定性问题。从光子诱发电荷畴的瞬态电场约束条件和级联过程出发，揭示因光致碰撞电离引起的、以光激发电荷畴为表现形式的载流子雪崩倍增行为的物理规律，探讨非线性GaAs光电导开关内丝状电流的形成原因和控制方法，研究强电场偏置下非线性GaAs光电导开关稳定工作的物理条件，通过改进GaAs芯片性能来改善触发导通瞬态过程中芯片内的电场分布，抑制丝状电流的形成，得出利用光激发电荷畴来控制并调节非线性GaAs光电导开关产生具有载流子雪崩倍增机制的电脉冲的稳定性条件。