中文摘要：

采用气态源分子束外延技术，对InGaP/GaAs微结构材料的生长工艺、物理特性及其与器件性能的关系进行了深入系统的研究，解决了材料生长工艺优化、异质界面结构、重掺杂p型材料特性、器件结构设计等关键的科学问题，并采用调制掺杂技术开展了InGaP/(In)GaAs/GaAs二维空穴气结构及其物理特性的研究。通过对影响材料和器件性能的关键参数和机理的深入分析，建立了InGaP/GaAs微结构材料参数的优化设计和气态源分子束外延生长优化工艺，并与有关器件单位合作，成功地研制出国内首批具有微波和毫米波性能的InGaP/GaAs异质结双极晶体管(截止频率25GHz，最高振荡频率46GHz)和新型高空穴迁移率晶体管(跨导35mS/mm，饱和电流57mA/mm)。