中文摘要：

本项目研究高性能HBT和IC。提出并进一步完善新的物理构想和器件结构。能同时实现载流子的横向和纵向高速输运，在不增加基区掺杂的情况下降低噪声，并使增益，fm,fT同时具有高值。从物理机制上而不是靠精细的工艺克服了高频器件各参数的相互制约。研究出并完善合适SiGe HBT和IC的低温工艺。研究出了SiGe HBT管芯fr为25GHz 以上，封装后15GHz以上，fm为7GHz以上。设计研制出低温高增益的SiGe HBT，77K下β>26000。噪声系数2.5dB。研究了SiGe 集成技术，包括电路版图的设计和隔离技术。设计并研制出具有二级放大的SiGe HBT集成电路。生长了高质量SiGe应变层。所研制的SiGe HBT和电路在通讯等领域特别是移动通讯中有广泛的应用。