稀土掺杂材料是重要的光电子功能材料,稀土掺杂宽能隙III族氮化物具有更为优越的光电子特性。探索一种制备稀土掺杂III族氮化物薄膜的新方法,在材料制备的基础上,通过样品光发射特性的观察,特别是考察激励和弛豫的动态过程,探讨内在机制,了解基质材料的能隙宽度对发光特性的影响,探寻减小热淬灭、提高发光效率的途径,并进行材料的应用探索。
英文主题词rare-earth doped material; wide-gap semiconductor; III-nitride; laser radiation; plasma