位置：立项数据库 > 立项详情页
纳米GaN嵌镶薄膜的光发射和光学非线性
  • 项目名称：纳米GaN嵌镶薄膜的光发射和光学非线性
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：69878004
  • 申请代码：F050906
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1999-01-01-2001-12-01
  • 项目负责人：吴嘉达
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：复旦大学
  • 批准年度：1998
中文摘要：

结合电子回旋共振微波放电和脉冲激光烧蚀技术，摸索出一种常温制备化合物薄膜的新方法，并应用到纳米晶粒嵌镶膜的制备。分别以金属Al、多晶GaAs为原材料，在常温下制备得到AIN和GaN薄膜，能隙宽度分别为5.7和3.4eV。制备了纳米GaN嵌镶Al2O3薄膜和纳米GaN嵌镶AIN薄膜，GaN尺寸分布范围5-30nm，在Al2O3和AIN基质中GaN的浓度可在1-15%范围内调整。研究了AIN薄膜跨能隙脉冲光致发光及其时间特性，室温光发射范围325-550nm，观察到光发射的非指数衰减现象和氧杂质对光发射的影响。考察了不同温度下GaN薄膜和纳米GaN嵌镶AIN薄膜的连续光致发光，GaN薄膜低温光发射范围360-550nm，嵌镶膜光发射呈现近30nm的蓝移。已发表论文十二篇，国际会议展示三篇，获得一项上海市科技进步二等奖。

中文主题词： 纳米嵌镶薄膜；III族氮化物；光发射
结论摘要：

英文主题词nanocrystalline embedded thin film;III nitride; light emission ,

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 12
  • 3
  • 0
  • 2
  • 0
期刊论文
Low-temperature synthesis of nitride films by ECR plasma aided reactiv pulsed laser deposition
ECR等离子体对单晶硅的低温大面积表面处理
用脉冲激光沉积方法制备氮化铝薄膜
Photoluminescence and its time evolution of AIN thin fimls
Formation of CNx thin films by reactive pulsed laser depoition assisted by electron cyclotron resona
氮化铝薄膜的低温沉积
Preparation of AIN films by pulsed laser deposition using sintered aluminum nitride and elemental al
Low-temperature synthesis of AIN films through electron cyclotron resonance plasma adided reactive p
以GaAs为原材料低温制备GaN薄膜
Influences of substrate bias on the composition and structure of carbon nitride thin films prepared
Electron cyclotron resonance plasma assisted reactive pulsed laser deposition of compound films
Electron cyclotron resonance plasma-assisted pulsed laser deposition of boron carbon nitride films
会议论文
Preparation of carbon nitride thin films containing high nitrogen concentration)
Gallium nitride films synthesized by reactive pulsed laser deposition from a GaAs target
Electron cyclotron resonance plasma assisted pulsed laser deposition of carbon nitride thin films
获奖
氮化物新型材料的合成研究
氮化物新型材料的合成研究
相关项目
AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的量子输运性质
期刊论文 48
基于有序介孔纳米材料的光电子器件的研究
期刊论文 21 会议论文 1
基于纳米硅结构的硅基光电集成材料的可控光发射研究
期刊论文 24
半极性小面InGaN量子阱结构生长与多色光合成研究
期刊论文 1 会议论文 1
III族氮化物异质界面的缺陷
期刊论文 39 会议论文 8
GaN基异质结构中二维电子气的自旋性质研究
期刊论文 20 专利 1
AlN基III族氮化物稀磁半导体纳米材料的可控制备及光学性能研究
期刊论文 10
Si基光子量子点的模式特征、制备技术与光发射特性研究
期刊论文 10 会议论文 1
Ⅲ族氮化物多元合金纳米结构的制备、形貌与成分调控和性能研究
期刊论文 31 会议论文 1
吴嘉达的项目
用于可控纳米制备的高活性、多组分等离子体中的基本过程与特性
基于ECR-PLA等离子体的原位掺杂机理和应用
期刊论文 10 会议论文 2
常压微等离子体的激光诱导激发增强和基于高激发常压微等离子体辅助电化学反应的纳米制备
ECR-PLA等离子体的时空运动、激发增强和气相反应
期刊论文 12 会议论文 5
稀土掺杂宽能隙III族氮化物薄膜的特性研究和应用探索
期刊论文 10 会议论文 1
微波放电和激光烧蚀混合等离子体的特性和应用
期刊论文 19 获奖 1
第十届国际陶瓷大会和第三届新材料论坛