角度限制散射投影电子束光刻的蒙特卡洛模拟-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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角度限制散射投影电子束光刻的蒙特卡洛模拟

项目名称：角度限制散射投影电子束光刻的蒙特卡洛模拟
项目类别：青年科学基金项目
批准号：60306006
申请代码：F040405
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2004-01-01-2006-12-31

项目负责人：孙霞
负责人职称：副教授
依托单位：中国科学技术大学
批准年度：2003

中文摘要：

用蒙特卡洛方法模拟角度限制投影电子束光刻。模拟主要包括四部分(1)模拟电子穿越由散射层和膜层组成的多层掩膜时的散射过程；(2)电子经过光学系统到达抗蚀剂，模拟这些电子在抗蚀剂和衬底中的散射过程，得到沉积电子的能量分布E(r,z)；(3)模拟经过显影过程后得到的抗蚀剂的轮廓；(4)模拟校正掩膜图形畸变和电子在抗蚀剂中的背散射引起的邻近效应所需要的校正剂量或对掩膜作的修正。角度限制投影电子束光刻技术不受衍射的限制，分辨率高，能应用到特征尺寸为100nm以下的集成电路制造中，有望成为将来的主流光刻技术之一。这种技术的研究对半导体工业的进步有极为重要的意义，而用蒙特卡洛方法模拟光刻过程可以比实验节约大量时间和经费。

中文主题词： Monte Carlo 模拟；电子束光刻；散射；邻近效应；校

英文摘要：

Monte Carlo simulation; Electr

英文主题词： Monte Carlo simulation; Electr

结论摘要：

本项目的科学目标是通过蒙特卡洛方法模拟角度限制投影电子束光刻。模拟主要包括四部分(1)模拟电子穿越由散射层和膜层组成的多层掩膜时的散射过程；(2)电子经过光学系统到达抗蚀剂，模拟这些电子在抗蚀剂和衬底中的散射过程，得到沉积电子的能量分布E(r,z)；(3)显影后抗蚀剂的轮廓；(4)模拟邻近效应对分辨率的影响，及校正邻近效应所需要的剂量或修正后的掩膜图形。角度限制投影电子束光刻技术不受衍射的限制，分辨率高，能应用到特征尺寸为100nm以下的集成电路制造中，有望成为将来的主流光刻技术之一。因此对这种技术的研究对半导体工业的进步有极为重要的意义，而用蒙特卡洛方法模拟光刻过程可以比实验节约大量时间和经费。

成果综合统计